充電器反接會損壞DS2726鋰離子(Li+)電池保護器。由于有些器件引腳對負電壓非常敏感，導致器件不能正常工作，雖然DS2726的高邊p溝道FET關(guān)斷，但該器件的一些引腳仍無法承受負電壓，本文在介紹DS2726的基礎(chǔ)上，提出了兩種保護方法：一種方法是新增肖特基二極管以箝位DS2726相應(yīng)引腳電壓；另一種方法是提高這些對負電壓敏感的引腳阻抗，以限制電流，功耗。通過這些簡單設(shè)計方法使DS2726能夠在充電器反接的情況下不被損壞。

2DS2726簡介

DS2726是一款集成電壓、電流檢測和電池均衡功能的獨立保護器件，可用于5～10節(jié)鋰離子(Li+)電池組。

DS2726采用高端p溝道保護FET實現(xiàn)過壓、欠壓、放電電流和短路保護。保護電路監(jiān)測每節(jié)電池的電壓以檢測過壓和欠壓狀態(tài)。另外，高端保護允許主系統(tǒng)在故障狀態(tài)導致保護FET關(guān)斷的情況下，仍能與DS2788等電量計保持通信。

DS2726無需通過外部微控制器配置器件，簡化了設(shè)計并降低了成本。可通過引腳設(shè)置電壓保護和電池均衡門限；過度放電和短路電流限制則由外部電阻設(shè)置；過度放電和短路電流超時延時由外部電容設(shè)置。

DS2726在供應(yīng)可靠保護的同時能夠保證所有電池被均勻地充電，從而延長電池使用壽命。電池均衡期間，內(nèi)部開關(guān)可供應(yīng)150mA(典型值)旁路電流。電池均衡可以在檢測到充電器時自動開啟，或通過控制引腳上的信號開啟，提高了靈活性。

DS2726供應(yīng)節(jié)省空間的7mm×7mm、32引腳TQFN封裝。DS2726可為5~10節(jié)鋰離子(Li+)電池組供應(yīng)完備的充電和放電保護。保護電路分別監(jiān)測各節(jié)電池電壓，以檢測是否處于過壓和欠壓狀態(tài)。用戶可通過外部電阻設(shè)置限流門限，以保護器件免受過放電電流和短路電流的損壞。采用高邊p溝道保護FET，由片上10VFET驅(qū)動器驅(qū)動。電池均衡電路確保所有電池均衡充電。圖1為DS2726引腳配置。

DS2726引腳功能描述如下：

RSC(引腳1)：短路門限。該引腳到電池組的正極之間的電阻選擇放電方向短路狀態(tài)下的門限電壓；RDOC(引腳2)：放電過流電壓門限。該引腳與電池組的正極之間所連接的電阻可選擇過流狀態(tài)下在放電方向上的門限電壓；Vcc(引腳3)：穩(wěn)壓輸出。Vcc為內(nèi)部電路供應(yīng)電源，并將配置引腳拉高至VIN該引腳應(yīng)連接1只至少0．1μF的陶瓷電容旁路至GND；SEL0，SEL1(引腳4、5)：電池組所選電池節(jié)數(shù)。該引腳為三級輸入。接地或與Vcc相連分別實現(xiàn)邏輯低或邏輯高，懸空則實現(xiàn)中級門限；CDOCD(引腳6)：放電過流延遲時間。該引腳與GND之間所連接的電容用于設(shè)置DCFET關(guān)斷前放電過流狀態(tài)必須保持的時間；SLEEp(引腳7)：睡眠模式選擇輸入。驅(qū)動該引腳為邏輯低強制DS2726進入最低功耗狀態(tài)。若施加充電電壓，DS2726退出睡眠模式。當CBCFG為高電平，該引腳的邏輯高使能電池均衡；CSCD(引腳8)：短路電流延遲時間。該引腳與CND之間所連接的電容用于設(shè)置DCFET關(guān)斷前短路電流狀態(tài)必須保持的時間；CBCFG(引腳9)：充電均衡配置輸入。當為邏輯低時，若VpKp>VVIN+VCDET，充電均衡使能；當為邏輯高時，若SLEEp引腳為邏輯高，則充電均衡使能；CBS0，CBS1(引腳10、11)：選擇電池均衡電壓。該引腳輸入為三級輸入，接地或接VCC分別實現(xiàn)邏輯低或邏輯高，懸空則實現(xiàn)中級門限；OVS0，OVS1(引腳12、13)：選擇過壓門限。該引腳輸人為三級輸入，接地或接VCC分別實現(xiàn)邏輯低或邏輯高，懸空則實現(xiàn)中級門限。N．C(引腳14、30)：懸空，內(nèi)部無連接；GND(引腳15)：接地。接至最低電壓電池的負極；V00~V10(引腳16～26)：負極電壓檢測。連接至電池組中的第一節(jié)電池的負極；VIN(引腳27)：連接至最大電池正極；DC(引腳28)：放電控制輸入。CC控制充電FET的柵極，驅(qū)動pKp至VOLCC，并導通或關(guān)斷充電FET；SNS(引腳29)：檢測輸入。連接至充電和放電FET的漏極。作為基準電壓檢測短路和放電過流狀態(tài)；CC(引腳31)：充電控制輸人。CC控制充電FET的柵極，驅(qū)動pKp至VOLCC，并導通或關(guān)斷充電FET；pKp(引腳32)：電池組正極。pKp電壓用于檢測充電器附件或保護釋放狀態(tài)。

3DS2726設(shè)計應(yīng)用

在DS2726典型應(yīng)用電路的基礎(chǔ)上，通過簡單的設(shè)計修改，可利用DS2726Li+電池保護器承受負電壓，在充電器反接時為電池供應(yīng)保護。圖2為采用DS2726的電池保護電路。

3．1保護pKp引腳

pKp引腳容易暴露在充電反接電壓下，典型應(yīng)用電路中，該引腳已接有1個肖特基二極管，能夠防止感應(yīng)沖擊(出現(xiàn)過流)，使該引腳拉至地電位以下。唯一要修改的是提高pKp阻抗，從而限制流過肖特基二極管的電流。10節(jié)電池使用42V充電器。60V肖特基二極管具有Vf=0．45V。RpKp電壓為：-42V-(-0．45V)=-41．55V。假設(shè)使用250mW的電阻則：250mW=(-41．55V)2/RpKp，其中，RpKp=6．905kΩ。

3.2利用變阻器保護CCFET

CC是另一個暴露于負電壓的引腳，正常工作條件下，CC驅(qū)動充電控制器FET的柵極，電壓擺幅達到pKp引腳電壓以關(guān)斷場效應(yīng)管。CC引腳拉至pKp電壓以下約10V時，F(xiàn)ET導通。由于pKp將被箝位在-0．45V，CC無法打開FET。然而，充電控制FET只能承受±20V的柵-源電壓。假如在充電控制器FET的柵極和源極之間新增變阻器V2，可保護CCFET免于損壞。假如沒有V2，柵-源電壓將達到-42V左右，這將超出FET的額定值。

變阻器V2在16V打開，箝制柵-源電壓。則CCFET電壓為：-42V+16V=-26V。CC電阻兩端的壓降：-26V-(-0.45V)=-2555V。假定使用250mW的電阻則：250mW=(-25．55V)2/RCC其中，RCC=1．857kΩ。

更大的CC和pKp電阻會導致充電控制器FET的通／斷時間增大，從而使FET打開時在線性區(qū)域停留較長時間。實際應(yīng)用中這個問題并不嚴重，因為電流受充電器限制。

3．3箝位SNS引腳

盡管CCFET關(guān)斷，負電壓用途在pK+使其體二極管導通。使SNS出現(xiàn)負電壓，SNS是最后一個要肖特基二極管箝位的引腳。保護FET漏極電壓：-42V+O．6V=-41.4V。SNS引腳電壓將箝位在-0．45V。SNS電阻兩端壓降：-41.4V-(-0．45V)=-39．95V。假設(shè)使用250mW的電阻：250mW=(-39．95V)2／RCC，其中，RCC=6．384kΩ。比較器SNS引腳將吸收約1μA電流：1μA×6．384kΩ=6．384mV。

這將在過電流門限引入誤差約6.4mV。假如使用額定功率更大的電阻，可以減小電阻值，從而降低這個誤差。注意：SNS端的RC濾波器時間常數(shù)隨著電阻的提高而改變。因此，電容值也要相應(yīng)改變，以維持適當?shù)臅r間常數(shù)。SNS的時間常數(shù)應(yīng)該與RDOC和RSC時間常數(shù)相一致。假如這些引腳的時間常數(shù)不一致，會在過流門限引入額外誤差。

4結(jié)論

DS2726Li+電池保護器經(jīng)過電路修改后，能夠在充電器反接時保護電池組。設(shè)計中雖然作出了一些折中考慮，但不會對保護器的整體工作性能造成影響。本文計算假設(shè)使用額定功率為250mW的電阻。假如選擇額定功率更大的電阻，可以減小電阻值。較小的阻值有助于降低對過流門限出現(xiàn)的誤差電壓，也可以減小通／斷時間。還需注意的是確保不要超過肖特基二極管的額定電流。